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被譽為「IC 設計界奧林匹克」的 IEEE國際固態電路研討會（ISSCC）今年再度傳來捷報。面對全球超過千篇的投稿競爭，臺灣共有11篇論文入選2026年ISSCC，內容橫跨記憶體運算、AI加速器、晶片互連、車用MRAM等多項關鍵領域，再次證明臺灣在全球晶片設計版圖上具有高度競爭力，並透過產學合作深化先進製程、AI晶片與系統級技術的創新動能。ISSCC 2026將於2026年2月15~19日在美國舊金山舉辦，齊聚各國重量級企業與知名大學，而臺灣的產業界與學術界今年以合作研發成果倍受關注。

臺灣入選2026年ISSCC論文共有11篇，內容橫跨記憶體運算、AI加速器、晶片互連、車用MRAM等多項關鍵領域。

此次入選作品中，學術界為清大4篇、臺大2篇、陽明交大1篇，產業界則由臺積電與聯發科各以 2 篇突圍。IEEE固態電路學會臺北分會今(25)日特別邀集產學研專家，針對 Wireless、RF、PM、Analog、DC、DAS、MEM、MED 等主題領域分享亮點成果，不僅聚焦技術突破，更呈現臺灣半導體生態系的協同研發能力。

清華大學張孟凡教授團隊共入選3篇論文，其中兩篇與臺積電共同完成，展現極具代表性的產學合作成果。包含「22奈米96Mb、50.6~90.2 TFLOPS/W非線性多階RRAM記憶體內運算巨集」，以高密度儲存與動態運算模式切換技術，推升邊緣裝置在 Mamba、Transformer、CNN 等新一代 AI 模型上的推論能效，適用於無人機與智慧終端。另一篇「16 奈米、72Kb、120.5 TFLOPS/W 多格式雙表示記憶體內運算巨集」則鎖定語音、影像與聊天機器人等通用 AI 任務，能依不同資料格式自動最佳化運算，提高速度並降低功耗，強化邊緣到雲端 AI 系統的運算彈性。上述兩篇皆為大會亮點論文。

臺積電今年以先進封裝與記憶體技術兩篇論文獲注目。其中「3 奈米類 UCIe 晶片介面」透過 32Gb/s 高速傳輸與主動式矽中介層（LSI）封裝，使多晶片系統的互連頻寬提升 25%，功耗降低 40%，對 AI 大型模型與 3D IC 的推進具關鍵意義。另一篇「16奈米168Mb嵌入式STT-MRAM」則鎖定車用電子與邊緣AI，具備 51.2Gb/s超高速讀取能力與可耐受150°C、保存20年的高度可靠性，展現嵌入式 MRAM 作為下一代車用記憶體的技術成熟度。

聯發科技則以兩篇論文切入行動與邊緣AI。多媒體AI團隊推出採用3奈米製程的微型AI加速器「MADiC」，藉由硬體—編譯器協同最佳化，實現7.4 TOPS/mm² 與17.4 TOPS/W的高效能，使智慧型手機在無網路環境下也能運行生成式擴散模型。聯發科技多媒體研發本部副處長石銘恩表示，透過軟硬體整合設計，MADiC可以實現極小面積與低功耗，同時提升影像處理成效，將高效、安全的AI創作體驗直接帶到使用者手中，促進生成式AI於裝置端的應用。另一篇「3 奈米plus手機處理器動態效能增強技術」則以低功耗時效與溫控感測電路結合熱管理機制，突破行動處理器峰值性能限制，支援遊戲、影音與生成式AI等高負載應用。

從今年臺灣入選的11篇論文可看出，臺灣已從單點技術突破進化為「產學整合、從製程到架構」的系統級創新。ISSCC為全球半導體技術風向球，臺灣在AI晶片、記憶體內運算、車用電子與先進封裝的完整布局，為未來邊緣智慧、生成式AI與異質整合時代奠定關鍵競爭力。