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半導(dǎo)體製造與晶圓級(jí)封裝設(shè)備供應(yīng)商盛美半導(dǎo)體近日發(fā)佈了高速銅電鍍技術(shù)，適用於盛美的電鍍?cè)O(shè)備ECP ap，支援銅，鎳(Ni)和錫銀(SnAg)電鍍的互連銅凸點(diǎn)、重佈線層和錫銀電鍍，還有高密度扇出(HDFO)先進(jìn)封裝產(chǎn)品的翹曲晶圓、銅、鎳、錫銀和金電鍍。新型的高速鍍銅技術(shù)使鍍銅腔在電鍍過程中實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)的品質(zhì)傳遞。

根據(jù)Mordor Intelligence的報(bào)告，扇出型封裝市場(chǎng)在2021年到2026年的預(yù)期複合年增長(zhǎng)率(CAGR)可達(dá)到18%。而扇出技術(shù)的普及，主要?dú)w因於成本，可靠性和客戶採(cǎi)納。扇出型封裝比傳統(tǒng)的倒裝晶片封裝薄約20％以上，滿足了外形纖薄的智慧手機(jī)對(duì)晶片的要求。

盛美半導(dǎo)體設(shè)備董事長(zhǎng)王暉表示：「3D電鍍應(yīng)用最主要的挑戰(zhàn)之一就是，在深度超過200微米的深通孔或溝槽中做電鍍金屬膜時(shí)，需要保持高速和更好的均一性。有史以來，以高電鍍率對(duì)凸點(diǎn)進(jìn)行銅電鍍會(huì)遇到傳質(zhì)限制，導(dǎo)致沉積速率降低，並產(chǎn)生不均勻的凸點(diǎn)頂部輪廓。我們新研發(fā)出的高速電鍍技術(shù)可以解決傳質(zhì)的難題，獲得更好的凸點(diǎn)頂部輪廓，還能在保持高產(chǎn)能的同時(shí)提升高度均一性，使盛美的電鍍銅技術(shù)進(jìn)入全球第一梯隊(duì)。」

盛美半導(dǎo)體設(shè)備的高速電鍍技術(shù)可以在沉積銅覆膜時(shí)增強(qiáng)銅組陽離子的品質(zhì)傳遞，並以相同的電鍍率在整個(gè)晶圓上覆蓋所有的凸點(diǎn)，這就可以在高速電鍍的時(shí)候，使晶圓內(nèi)部和晶片內(nèi)部實(shí)現(xiàn)更好的均一性。使用該項(xiàng)技術(shù)處理的晶圓在相同電鍍速率下，比使用其他方法的效果有明顯的提高，可實(shí)現(xiàn)3％以下的晶圓級(jí)均一性，同時(shí)還能保證更好的共面性能和更高的產(chǎn)能。

盛美半導(dǎo)體設(shè)備已於2020年12月為其ECP ap系統(tǒng)升級(jí)了高速電鍍技術(shù)，並收到了第一筆配置高速電鍍技術(shù)的設(shè)備訂單，該設(shè)備本月下旬將被送到一家重要的中國(guó)先進(jìn)封裝測(cè)試工廠進(jìn)行裝機(jī)並驗(yàn)證。