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面對高速成長的人工智能資料中心、電動車、航空航太與高功率工業應用帶來的能源挑戰，GE Aerospace公司近日展示第四代碳化矽（SiC）MOSFET功率元件，成為推動新一波能源效率提升的重要技術里程碑。本次展示於紐約州的GE研究中心完成，象徵該公司在SiC功率半導體領域的研發正式邁入全新階段。

GE Aerospace最新一代碳化矽（SiC）MOSFET元件，具有更高的單位晶片面積電流額定值、高可靠性和更快的開關速度，從而降低功率損耗。

GE Aerospace最新一代SiC MOSFET採用5mm x 5mm晶片尺寸，提供1200V額定電壓與導通低阻抗，同時支援高達200°C的工作溫度，具備顯著提升系統效率、功率密度與可靠性。與傳統矽（Si）功率元件相比，碳化矽材料具備更快開關速度、更高耐壓與更低損耗等優勢，已成為混合動力汽車（HEV）、純電動車（BEV）、再生能源轉換設備與AI資料中心等領域的首選材料。

GE表示，新一代MOSFET在單位晶片面積電流額定值、開關速度與可靠性全面提升，可有效降低功率損耗，支援次世代高效電源架構設計。最新的第四代碳化矽MOSFET在性能上實現飛躍式提升，能在汽車、再生能源、人工智能資料中心與工業電力等應用中大幅提升效率、可靠性和功率密度。

隨著全球AI訓練與推論需求高速攀升，資料中心的電力消耗成為業界首要挑戰。GE認為更高電壓、更低損耗的SiC MOSFET能讓AI伺服器電源供應器（PSU）採用更精簡架構，不僅提高能源轉換效率，也能夠縮小電源體積，為機櫃與機房釋放更多散熱與部署空間。此外，SiC裝置的高溫操作能力更能降低冷卻需求，有助進一步減少資料中心的營運成本。