宜特科技（3289）正式啟動次2奈米世代 ALD（Atomic Layer Deposition，原子層沉積）新材料選材與驗證服務(wù)，進一步延伸至化學(xué)材料端的選材、鍍膜測試與品質(zhì)確認(rèn)。此舉使宜特不僅扮演晶片驗證夥伴，更成為材料廠商開發(fā)新配方的關(guān)鍵加速器。
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| 宜特正式啟動次2奈米世代新材料選材與驗證服務(wù) |
宜特觀察發(fā)現(xiàn)，晶圓代工大廠、IDM廠在今年下半年，陸續(xù)在2奈米、18A進入量產(chǎn)，均屬立體電晶體架構(gòu)，對ALD設(shè)備與新材料需求大幅擴張。如何在複雜3D結(jié)構(gòu)中均勻鍍膜，是最困難的一環(huán)。傳統(tǒng)CVD與PVD（物理氣相沉積）在3D結(jié)構(gòu)上均有限制。以PVD為例，透過蒸鍍或濺鍍方式，往往無法覆蓋內(nèi)部深層區(qū)域；CVD則因氣體反應(yīng)速率過快，容易導(dǎo)致薄膜厚度不均。
相較之下，ALD 技術(shù)以「原子層逐層沉積」可精準(zhǔn)控制膜厚，及其生成的薄膜具高均勻度及覆蓋性優(yōu)異，被視為2奈米後之先進製程不可或缺的關(guān)鍵技術(shù)。但ALD沉積速度慢、參數(shù)複雜，及其新材料反應(yīng)條件的掌握尤為嚴(yán)苛。宜特推進ALD新材料驗證平臺，可協(xié)助材料商在開發(fā)階段完成鍍膜實驗，快速評估新材料薄膜的品質(zhì)與一致性，縮短客戶開發(fā)週期。
目前業(yè)界ALD於製程段可用於製造高介電薄膜及相關(guān)先進電晶體(例如GAA/CFET)；而另外將ALD應(yīng)用於試片製備時的保護層以避免樣品損傷，這已是在TEM分析上的常規(guī)作法。然而，宜特的ALD能力並不僅止於此，而是進一步串接「材料選擇 → 鍍膜製程 → 薄膜分析 → 製程驗證」，協(xié)助化學(xué)材料商、晶片製造商與設(shè)備供應(yīng)商完成新材料驗證與最佳化，提供更完整的產(chǎn)業(yè)鏈「材料端至晶片端」之間的分析驗證。
宜特表示，未來半導(dǎo)體的突破不僅來自製程微縮，更仰賴新材料的導(dǎo)入。宜特藉由 ALD 新材料驗證，將協(xié)助材料與設(shè)備供應(yīng)鏈加速定義下一世代標(biāo)準(zhǔn)，成為推動次 2 奈米世代後的關(guān)鍵力量。
隨著半導(dǎo)體進入新材料時代，宜特透過ALD新材料驗證平臺服務(wù)，將持續(xù)拓展「晶片驗證 + 新材料驗證」雙軌成長曲線，為客戶提供差異化解決方案，亦將成為推動宜特後續(xù)營運新引擎。
關(guān)於宜特科技
始創(chuàng)於1994年，iST宜特從 IC 線路除錯及修改起家，逐年拓展新服務(wù)，包括故障分析、可靠度驗證、材料分析等，建構(gòu)完整驗證與分析工程平臺與全方位服務(wù)。客群囊括電子產(chǎn)業(yè)上游 IC 設(shè)計至中下游成品端，並建置車用電子驗證平臺、高速傳輸訊號測試。更多訊息請上官網(wǎng) http://www.istgroup.com
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