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迎接全球AI科技日新月異，加速產業轉型步伐，也帶動用電需求成長，更加深泡沫疑慮。針對TrendForce近日整理2026年科技產業重構新格局，也特別聚焦晶片散熱、液冷伺服器與儲能系統等發展，將加強滲透並推進AI基礎建設轉型。

TrendForce近日整理2026年科技產業重構新格局，也特別聚焦晶片散熱、液冷伺服器與儲能系統等發展

由於2026年受惠於北美大型CSPs提高資本支出，以及各國主權雲興起，對AI資料中心建置需求旺盛，預估全球AI伺服器出貨年增率將逾20%，刺激AI晶片逐鹿戰升級。算力提升將促成單晶片熱設計功耗（TDP）從NVIDIA H100、H200的700W，上升至B200、B300的1,000W以上或更高。

伺服器機櫃亦須以液冷散熱系統對應高密度熱通量需求，推升2026年AI晶片液冷滲透率達47%、Microsoft亦提出新一代晶片封裝層級的微流體冷卻技術。整體而言，AI伺服器短中期市場仍以水冷板液冷為主，CDU架構將自L2A（Liquid-to-Air）轉向L2L（Liquid-to-Liquid）設計，長期則朝更精細化的晶片級散熱演進。

加上AI資料中心正經歷徹底的電力基礎設施變革，伺服器機櫃功率從千瓦級（kW）迅速攀升至兆瓦級（MW），供電模式正轉向800V HVDC（高壓直流）架構，以最大限度地提高效率和可靠性，大幅減少銅纜用量，並支援更緊湊的系統設計。

料將推升第三代半導體SiC/GaN市場需求，正是實現下一代固態變壓器（SST）技術轉型的關鍵，多家半導體供應商已宣佈加入NVIDIA的800V HVDC計畫，SiC/GaN在資料中心供電的滲透率將在2026年上升至17%、2030年有望突破30%。

TrendForce認為，因AI資料中心朝向超大規模集群化發展，其負載波動大，嚴格要求電力穩定度，促使儲能系統由「應急備電」轉為「AI資料中心的能量核心」，需求將迎爆發式成長。預估未來5年內，AI資料中心儲能除了現有的短時UPS備電和電能品質改善，2~4小時的中長時儲能系統占比將迅速提升，以同時滿足備電、套利和電網服務需求。

部署方式也將從資料中心級的集中式BESS (battery energy storage system)，逐步向機櫃級或叢集級的分散式BESS滲透，如電池備用單元，以提供更快的瞬時響應。

預期北美將成為全球最大AI資料中心儲能市場，由超大規模雲端廠商主導。中國「東數西算」策略將推動資料中心向綠電豐富的西部遷移，AI資料中心+儲能將成為西部大型基地的標準配備。預期全球AI資料中心儲能新增容量將從2024年的15.7GWh，激增至2030年的216.8GWh，複合年平均成長率達46.1%。