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雖然近日由臺積電董事長暨總裁魏哲家?guī)ь^，在美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SIA）頒發(fā)「羅伯特·諾伊斯獎」（Robert N. Noyce Award）典禮上疾呼先進(jìn)制程產(chǎn)能「不夠、不夠、還是不夠」，但至少如今在ASICs封裝需求上，還有EMIB方案加入，不再只有CoWoS一家解方。

隨著云端服務(wù)業(yè)者（CSP）加速自研ASIC，開始考量從TSMC主導(dǎo)的CoWoS方案，轉(zhuǎn)向Intel的EMIB技術(shù)。

根據(jù)TrendForce今（25）日公布最新研究，目前AI HPC（高效能運(yùn)算）對異質(zhì)整合的需求主要仰賴先進(jìn)封裝達(dá)成，其中的關(guān)鍵技術(shù)即是TSMC的CoWoS解決方案。但隨著云端服務(wù)業(yè)者（CSP）加速自研ASIC，為整合更多復(fù)雜功能的晶片，對於封裝面積的需求不斷擴(kuò)大，已有CSP開始考量從TSMC的CoWoS方案，轉(zhuǎn)向Intel的EMIB技術(shù)。

TrendForce表示，有別於現(xiàn)行CoWoS方案將主運(yùn)算邏輯晶片、記憶體、I/O等不同功能的晶片，以中介層（Interposer）方式連結(jié)，并固定在基板上，已發(fā)展出CoWoS-S、CoWoS-R與CoWoS-L等技術(shù)。

隨著NVIDIA Blackwell平臺2025年進(jìn)入規(guī)模量產(chǎn)，目前AI HPC市場需求旺盛，也導(dǎo)致CoWoS面臨產(chǎn)能短缺、光罩尺寸限制，以及價格高昂等問題。從而高度傾向內(nèi)嵌矽中介層的CoWoS-L，NVIDIA下世代的Rubin亦將采用，并進(jìn)一步推升光罩尺寸。

此外，依TrendForce觀察，目前除了CoWoS多數(shù)產(chǎn)能長期由NVIDIA GPU占據(jù)，其他客戶遭排擠；加上封裝尺寸、與地緣政治下的美國在地制造需求，也促使Google、Meta等北美CSP開始積極與Intel接洽EMIB解決方案。

相較於TSMC挾技術(shù)優(yōu)勢，主導(dǎo)CoWoS先進(jìn)封裝前期市場，Intel主推的EMIB則擁有面積、成本等多項(xiàng)優(yōu)勢。首先是結(jié)構(gòu)簡化，EMIB舍棄昂貴且大面積的中介層，直接將晶片使用內(nèi)嵌在載板的矽橋（Bridge）方式互連，簡化整體結(jié)構(gòu)，比起CoWoS良率更高。

其次是熱膨脹系數(shù)（Coefficient of Thermal Expansion, CTE）問題較小，由於EMIB只在晶片邊緣嵌矽橋，整體矽比例低。因此矽與基板的接觸區(qū)域少，導(dǎo)致熱膨脹系數(shù)不匹配的問題較小，較不容易產(chǎn)生封裝翹曲與可靠度挑戰(zhàn)。

加上EMIB在封裝尺寸也較具優(yōu)勢，相較於CoWoS-S僅能達(dá)到3.3倍光罩尺寸、CoWoS-L目前發(fā)展至3.5倍，預(yù)計在2027年達(dá)9倍。EMIB-M已可提供6倍光罩尺寸，并預(yù)計2026~2027年可支援到8~12倍。價格部分，則因EMIB舍棄價格高昂的中介層，能為AI客戶提供更具成本優(yōu)勢的解決方案。

然而，因EMIB技術(shù)也受限於矽橋面積與布線密度，可提供的互連頻寬相對較低、訊號傳輸距離較長，并有延遲性略高的問題，所以目前僅ASIC客戶較積極在評估洽談導(dǎo)入。

TrendForce指出，隨著Google決議在2027年TPUv9導(dǎo)入EMIB試用，Meta亦積極評估規(guī)劃用於其MTIA產(chǎn)品，EMIB技術(shù)有??為IFS業(yè)務(wù)帶來重大進(jìn)展。至於NVIDIA、AMD等對於頻寬、傳輸速度及低延遲需求較高的GPU供應(yīng)商，仍將以CoWoS為主要封裝解決方案。