迎接全球AI科技日新月異,加速產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型步伐,也帶動(dòng)用電需求成長(zhǎng),更加深泡沫疑慮。針對(duì)TrendForce近日整理2026年科技產(chǎn)業(yè)重構(gòu)新格局,也特別聚焦晶片散熱、液冷伺服器與儲(chǔ)能系統(tǒng)等發(fā)展,將加強(qiáng)滲透並推進(jìn)AI基礎(chǔ)建設(shè)轉(zhuǎn)型。
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| TrendForce近日整理2026年科技產(chǎn)業(yè)重構(gòu)新格局,也特別聚焦晶片散熱、液冷伺服器與儲(chǔ)能系統(tǒng)等發(fā)展 |
由於2026年受惠於北美大型CSPs提高資本支出,以及各國(guó)主權(quán)雲(yún)興起,對(duì)AI資料中心建置需求旺盛,預(yù)估全球AI伺服器出貨年增率將逾20%,刺激AI晶片逐鹿戰(zhàn)升級(jí)。算力提升將促成單晶片熱設(shè)計(jì)功耗(TDP)從NVIDIA H100、H200的700W,上升至B200、B300的1,000W以上或更高。
伺服器機(jī)櫃亦須以液冷散熱系統(tǒng)對(duì)應(yīng)高密度熱通量需求,推升2026年AI晶片液冷滲透率達(dá)47%、Microsoft亦提出新一代晶片封裝層級(jí)的微流體冷卻技術(shù)。整體而言,AI伺服器短中期市場(chǎng)仍以水冷板液冷為主,CDU架構(gòu)將自L2A(Liquid-to-Air)轉(zhuǎn)向L2L(Liquid-to-Liquid)設(shè)計(jì),長(zhǎng)期則朝更精細(xì)化的晶片級(jí)散熱演進(jìn)。
加上AI資料中心正經(jīng)歷徹底的電力基礎(chǔ)設(shè)施變革,伺服器機(jī)櫃功率從千瓦級(jí)(kW)迅速攀升至兆瓦級(jí)(MW),供電模式正轉(zhuǎn)向800V HVDC(高壓直流)架構(gòu),以最大限度地提高效率和可靠性,大幅減少銅纜用量,並支援更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
料將推升第三代半導(dǎo)體SiC/GaN市場(chǎng)需求,正是實(shí)現(xiàn)下一代固態(tài)變壓器(SST)技術(shù)轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵,多家半導(dǎo)體供應(yīng)商已宣佈加入NVIDIA的800V HVDC計(jì)畫,SiC/GaN在資料中心供電的滲透率將在2026年上升至17%、2030年有望突破30%。
TrendForce認(rèn)為,因AI資料中心朝向超大規(guī)模集群化發(fā)展,其負(fù)載波動(dòng)大,嚴(yán)格要求電力穩(wěn)定度,促使儲(chǔ)能系統(tǒng)由「應(yīng)急備電」轉(zhuǎn)為「AI資料中心的能量核心」,需求將迎爆發(fā)式成長(zhǎng)。預(yù)估未來5年內(nèi),AI資料中心儲(chǔ)能除了現(xiàn)有的短時(shí)UPS備電和電能品質(zhì)改善,2~4小時(shí)的中長(zhǎng)時(shí)儲(chǔ)能系統(tǒng)占比將迅速提升,以同時(shí)滿足備電、套利和電網(wǎng)服務(wù)需求。
部署方式也將從資料中心級(jí)的集中式BESS (battery energy storage system),逐步向機(jī)櫃級(jí)或叢集級(jí)的分散式BESS滲透,如電池備用單元,以提供更快的瞬時(shí)響應(yīng)。
預(yù)期北美將成為全球最大AI資料中心儲(chǔ)能市場(chǎng),由超大規(guī)模雲(yún)端廠商主導(dǎo)。中國(guó)「東數(shù)西算」策略將推動(dòng)資料中心向綠電豐富的西部遷移,AI資料中心+儲(chǔ)能將成為西部大型基地的標(biāo)準(zhǔn)配備。預(yù)期全球AI資料中心儲(chǔ)能新增容量將從2024年的15.7GWh,激增至2030年的216.8GWh,複合年平均成長(zhǎng)率達(dá)46.1%。